HG Semiconductor Limited（以下简称“HG半导体”）在其截至2025年12月31日止年度的年报中披露，受益于第三代半导体产品（尤其是氮化镓GaN相关产品）的大幅增长，全年收入由2024年的人民币0.75亿元同比上升29.9%至人民币0.98亿元。净亏损从上年约人民币1.83亿元缩减至约人民币1.34亿元，主要由于部分资产减值及公允价值亏损的减少所致。

在业务构成方面，传统LED业务在宏观环境及市场需求偏弱背景下，仍贡献收入约人民币0.68亿元，占总收入逾六成；而GaN及其他半导体产品则录得约人民币0.30亿元，占比提升至30.3%，成为新业绩增长的主要动力。公司年内在江苏省徐州经济技术开发区的GaN集成器件制造（IDM）生产线实现批量投产，700V D-mode外延晶圆及相关产品的大规模出货量超过2,500片，出货量同比增长超过300%，并由此带来成本的明显改善。

随着GaN电力电子市场的快速扩张，HG半导体进一步扩充6英寸及8英寸GaN外延及晶圆的月产能，由1,000片增至2,000片。公司强调，未来将加快产品研发，计划在2026年推出覆盖40V–900V的更多类型GaN解决方案，应用方向包括消费电子、新能源和汽车等领域。同时，公司持续强化与行业领先企业的合作，进一步完善第三代半导体产业链布局。

年内总体成本上升至约人民币0.94亿元，较2024年增加38.3%；受销售单价下行与成本增长影响，毛利由人民币0.08亿元下降至人民币0.04亿元。公司管理层表示，面对地缘政治和宏观经济的不确定性，未来将继续在主要业务领域加强布局并把握市场机会。公司及其管理层亦披露，目前暂无派发末期股息的建议，以维持公司日常经营和未来发展的财务灵活性。

在资本运作方面，HG半导体通过2024年度的配股融资获得约8,780万港元净筹款，用于加强综合研发实力及补充营运资金。此外，年内公司还完成了对以色列VisIC Technologies Limited部分优先股，以及北京宏智电气科技有限公司等标的的相关投资，以期进一步夯实GaN等第三代半导体核心技术能力。

公司亦更新了董事会及高管架构，执行董事现包括董事长兼提名委员会主席徐志宏博士、执行董事兼公司若干附属公司日常事务负责人赵义文，以及具备投资管理与信息技术背景的执行董事李阳等；独立非执行董事则由在财务与企业管理领域有丰富经验的数位成员组成。各专门委员会（审核、薪酬及提名委员会）按香港联合交易所有限公司上市规则及公司内部章程的要求履行职能；审计委员会指出，本年度财务报表符合香港财务报告准则及相关规定，同时内部控制及风险管理尚未发现重大缺陷。

在ESG（环境、社会及管治）方面，公司董事会作为最高决策层，强化了对绿色生产、员工安全培训、供应链ESG审查及反腐败等领域的管控，已建立相应的内控机制和监督体系，并定期检讨环境及社会风险。公司表示将继续结合相关法规要求和行业实践，持续完善企业管治与社会责任建设。

回顾2025财年，HG半导体在LED传统版块承压的同时，凭借对第三代半导体—尤其是GaN技术与设备生产线的持续投入，带动整体业绩恢复增长，全年业务与财务结构均呈现一定程度改善，为其在新经济环境下的未来发展和市场竞争力奠定了基础。